قالت شركة “سامسونغ” للإلكترونيات اليوم الجمعة إن مبيعاتها من منتجات ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) في الربع الرابع من العام الماضي انخفضت بقدر طفيف عن توقعات السوق، مشيرة إلى أن جهودها المستمرة لتحسين الجيل الخامس من ذاكرة “HBM3E” ربما تسببت في حدوث تحولات في طلب العملاء.

ووفقا لوكالة يونهاب الكورية قالت الشركة خلال جلسة مناقشة الأرباح بعد الإعلان عن نتائجها الفصلية: «في الربع الرابع، أدى تأثير خطة منتجاتنا لتحسين ذاكرة “HBM3E”، إلى جانب القضايا الجيوسياسية، إلى بعض التقلبات في الطلب على منتجات ذاكرة النطاق الترددي العالي».

وأضافت: «نتيجة لذلك، نمت المبيعات من منتجات ذاكرة النطاق الترددي العالي في الربع الرابع بمقدار 1.9 مرة مقارنة بالربع السابق، أي أقل قليلا من توقعاتنا الأولية».

وقد بدأت الشركة الإنتاج الضخم لرقائق “HBM3E”، المكونة من 8 طبقات و12 طبقة، في الربع الثالث؛ ووسعت نطاق توريدها لتلك المنتجات إلى كبار مزودي وحدات معالجة الرسوميات(GPUs) وعملاء مراكز البيانات في الربع الرابع.

وأشارت “سامسونغ” إلى أن مبيعات الجيل الخامس من “HBM3E” تجاوزت مبيعات الجيل الرابع منها في العام الماضي.

وبالنظر إلى المستقبل، تخطط الشركة لطرح رقائق “HBM3E” المحسنة في نهاية الربع الأول، مع إنتاج كميات كبيرة من الجيل السادس “HBM4” في النصف الثاني من عام 2025.